요약

BM2P014는 절연 플라이백 컨버터에 사용하도록 맞춤 개발된 로옴 세미컨덕터에서 개발한 고도로 전문화된 전원 공급 장치 집적 회로(IC)입니다. 메모리 장치, 증폭기, 센서, 마이크로 컨트롤러를 아우르는 로옴의 다양한 제품 라인업의 일부인 BM2P014는 고품질의 효율적인 전자 부품에 대한 로옴의 노력을 보여주는 제품입니다. 이 IC는 엄격한 설계 목표를 충족하기 위한 엄격한 테스트 및 검증 프로세스를 통해 전력 변환 애플리케이션에서 최적의 성능과 효율을 달성하는 데 중요한 역할을 하는 것으로 유명합니다. 로옴 세미컨덕터는 제품 성능을 넘어 비용 효율성, 적시 납품, 서비스 우수성, 환경 영향 최소화를 포괄하는 '품질 우선' 철학으로 명성을 쌓아왔습니다. 품질에 대한 이러한 노력은 고급 트렌치 기술을 통해 MOSFET 성능과 확장성을 향상시킨 BM2P014에서 잘 드러납니다. 이러한 혁신은 반도체 기술 향상을 위한 로옴의 지속적인 헌신을 강조하며, BM2P014는 다양한 산업 및 소비자 애플리케이션에서 AC/DC 전력 변환을 위한 선도적인 솔루션으로 자리매김하고 있습니다. BM2P014는 저전력 소비와 고효율에 기여하는 650V 시동 회로와 스위칭 MOSFET이 통합되어 있는 것이 특징입니다. 저전압 록아웃(UVLO), 과전압 보호(OVP), 과전류 보호(OCP)와 같은 중요한 안전 기능이 설계에 포함되어 있습니다. 이러한 특성 덕분에 BM2P014는 효율성과 신뢰성이 가장 중요한 가전제품, 고속 충전기, 어댑터, 산업용 장비 등 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 또한 경부하 조건에서 버스트 작동을 통해 작동할 수 있어 에너지 효율이 높은 설계에 적합합니다. 로옴의 BM2P014는 또한 반도체 시장의 중요한 발전의 일부로서 전력 GaN 기술의 성장을 주도하고 데이터 센터 및 자동차 애플리케이션과 같은 분야에서 혁신을 가능하게 했습니다. 고효율 전력 솔루션에 대한 이 IC의 기여는 IoT 및 AI 기술의 발전에 힘입어 에너지 효율과 소형화를 향한 광범위한 산업 트렌드에 부합합니다. 따라서 BM2P014는 로옴의 제품 포트폴리오에서 핵심적인 역할을 할 뿐만 아니라 진화하는 현대 전자 시스템 환경의 중추적인 구성 요소입니다.

개요

BM2P014는 절연 플라이백 컨버터에 사용하도록 특별히 설계된 로옴 세미컨덕터에서 개발한 전원 공급 장치 집적 회로(IC)입니다. 이 IC는 메모리 장치 및 증폭기부터 센서 및 마이크로 컨트롤러에 이르는 다양한 고품질 부품을 포함하는 로옴의 광범위한 제품 라인업의 일부입니다.

. 이 IC의 주요 초점은 명확하게 정의된 설계 목표와 사양을 기반으로 최적의 성능과 효율성을 달성하는 것입니다. 성능 평가에는 설계 목표가 성공적으로 달성되었는지 확인하기 위한 철저한 검증 프로세스가 수반됩니다. "품질 제일주의"로 잘 알려진 로옴 세미컨덕터는 글로벌 시장에 고품질 제품을 제공하는 것으로 명성을 쌓아왔습니다. 이 철학은 완제품의 성능뿐만 아니라 비용, 납기, 서비스, 환경 영향과 같은 측면으로 확장됩니다. 이 회사의 엄격한 품질 기준은 고객의 높은 기대치를 충족하기 위해 BM2P014의 설계 및 제조 공정에 반영되었습니다. BM2P014는 그 효과를 검증하기 위해 광범위한 테스트와 평가를 거쳤습니다. 초기 평가 결과, 특히 MOSFET의 성능과 확장성 향상을 목표로 하는 로옴의 트렌치 기술에서 상당한 진전이 있었습니다. 이는 반도체 기술의 혁신과 개선을 위한 로옴의 지속적인 노력의 일환입니다.

BM2P014 제품 설명

BM2P014는 로옴 세미컨덕터에서 제조한 PWM 타입 DC/DC 컨버터 IC입니다. 이 부품은 전기 콘센트가 필요한 AC/DC 전력 변환 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 BM2Pxx4 시리즈에 속합니다.

. BM2P014는 절연 및 비절연 장치를 모두 지원하므로 다양한 저전력 전기 컨버터를 더 간단하게 설계할 수 있습니다. BM2P014의 주요 특징 중 하나는 저전력 소비와 고효율에 기여하는 650V 스타트 회로와 650V 스위칭 MOSFET이 통합되어 있다는 것입니다. 이 IC는 65kHz의 스위칭 주파수를 가진 PWM 전류 모드 방식으로 작동하며, 경부하 조건에서는 효율을 더욱 높이기 위해 스위칭 주파수를 낮출 수 있습니다. 또한 BM2P014는 주파수 호핑 기능을 통합하여 전자파 간섭(EMI)을 최소화합니다. BM2P014의 설계에서 가장 중요한 것은 안전과 보호입니다. 이 IC에는 저전압 록아웃(UVLO), 과전압 보호(OVP), 사이클별 과전류 보호(OCP)와 같은 다양한 보호 메커니즘이 포함되어 있습니다. 다른 주목할 만한 기능으로는 경부하에서의 버스트 작동, 소프트 스타트 기능, 최첨단 블랭킹 기능 등이 있습니다. BM2P014는 DIP7K 및 DIP7F 패키지 유형으로 제공되며, 일반적인 크기는 각각 9.27mm x 6.35mm x 8.63mm 및 9.20mm x 6.35mm x 7.60mm, 피치는 2.54mm입니다. 이 패키지는 다양한 설계 구현에 유연성을 제공합니다.

기술 세부 정보

BM2P014 로옴 반도체는 진공 청소기, 가습기, 공기청정기, 에어컨, IH 조리 히터, 밥솥 등 다양한 가전 제품에 적합한 고급 기능과 사양으로 설계되었습니다. 이 제품은 9.20mm x 6.35mm x 4.30mm 크기와 2.54mm 피치(일반)의 DIP7 패키지로 제공됩니다.

. 이 장치는 VCC 8.9V ~ 26.0V의 전원 공급 전압 범위 내에서 작동하며 최대 650V의 드레인 정격이 있습니다. 작동 전류는 모드에 따라 다릅니다: BM2P014의 경우 일반 모드에서는 0.950mA(일반)이며, 버스트 모드에서는 0.400mA(일반)로 크게 감소합니다. 발진 주파수는 65kHz로 설정되어 있으며, 주파수 감소 기능과 경부하에서 버스트 작동으로 높은 효율과 낮은 전자기 간섭(EMI)에 기여합니다. BM2P014에는 650V 시동 회로와 650V 스위칭 MOSFET이 내장되어 있어 설계 프로세스를 간소화합니다. VCC 핀 저전압 보호, VCC 핀 과전압 보호, 소스 핀 개방 보호 및 소스 핀 단락 보호와 같은 주요 보호 기능이 장치에 통합되어 있습니다. MOSFET의 온 저항 측면에서 BM2P014는 1.4Ω(일반)의 저항을 제공합니다. 스위칭 주파수는 65kHz로 조정되어 효율적인 전력 변환 및 제어에 적합합니다. 또한 소프트 스타트 기능, 사이클별 과전류 보호 회로, 2차 과전류 보호 회로 및 주파수 호핑 기능이 포함되어 있어 장치의 전반적인 견고성과 효율성에 기여합니다. 또한 BM2P014 로옴 세미컨덕터는 칩 내에 스위칭 MOSFET이 포함되어 있어 쉽게 구현할 수 있도록 설계되었습니다. 응용 회로에는 일반적으로 제공된 회로도(그림 1)에 표시된 대로 오류 증폭기와 함께 AC 입력(85-265Vac), 퓨즈, 필터 및 다이오드 브리지가 포함됩니다.

응용 프로그램

SiC MOSFET에 최적화된 전원 공급 IC인 BM2P014는 고급 기능으로 인해 다양한 애플리케이션에 사용되고 있습니다. 주목할 만한 애플리케이션 중 하나는 절연 AC-DC 플라이백 컨버터 설계로, 버스트 작동을 가능하게 하고 대기 상태에서 전력 소비를 줄임으로써 경부하 조건에서 높은 효율을 제공합니다.

. 따라서 작동 온도 범위가 넓고 여러 보호 기능이 포함되어 있어 산업용 애플리케이션에 매우 적합합니다. BM2P014의 또 다른 중요한 응용 분야는 전력 GaN 기술의 성장을 주도하는 소비자 고속 충전기 및 어댑터입니다. 이 IC는 최대 300W에 이르는 더 높은 전력 용량을 지원하며, 충전기당 GaN 활용도를 극대화하는 '올-GaN' 충전기 개발에 기여합니다. 또한 BM2P014는 데이터 센터와 자동차 애플리케이션에 필수적이며, 이들 분야는 2028년까지 전력 GaN 디바이스 시장을 1조 4천억 달러 이상으로 끌어올릴 것으로 예상됩니다. BM2P014는 아날로그 기술에 대한 로옴의 전문성을 활용하여 다양한 소비자 및 산업용 전자 장비에도 사용됩니다. 이 기술은 전자기기와 모터의 안정적인 작동을 보장하는 전원 공급 제어 회로에 핵심적인 기술로, IoT와 AI 발전에 따른 고성능, 에너지 효율, 소형화에 대한 수요 증가에 부응하고 있습니다. 또한 BM2P014는 전원 관리 및 모터 드라이버 IC, LED, 센서 IC 등 로옴의 광범위한 제품 라인업을 통해 전자 장비의 안정적인 작동을 지원하는 역할을 더욱 강화합니다. 이러한 제품은 자동차, 산업, 의료 및 통신 시스템에 적용되어 다양한 분야에서 BM2P014의 다용도성을 입증합니다.

장점

로옴 세미컨덕터의 BM2P014 IC는 고효율 애플리케이션에 적합한 다양한 장점을 제공합니다. 주요 이점 중 하나는 버스트 작동을 사용하여 경부하 조건에서도 높은 효율을 유지하여 대기 모드에서 전력 소비를 크게 줄일 수 있다는 것입니다.

. 또한 이 IC는 저전압 보호, 과전압 보호, SOURCE 핀의 개방 및 단락 보호 등 다양한 보호 메커니즘을 갖추고 있습니다. 통합 650V 스위칭 MOSFET은 설계 프로세스를 간소화할 뿐만 아니라 컨버터의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 또한 IC에 내장된 주파수 호핑 기능은 전자기 간섭(EMI)을 최소화하여 보다 깨끗하고 안정적인 작동에 기여합니다. BM2P014는 -40°C ~ +105°C의 넓은 작동 온도 범위로 까다로운 산업용 애플리케이션에 적합하며 열악한 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다.

유사 제품과의 비교

로옴 세미컨덕터의 BM2P014는 집적 회로 및 전력 관리 솔루션의 경쟁 환경에서 두각을 나타내고 있습니다. 다른 주요 제조업체의 트렌치 MOSFET 및 평면 MOSFET과 같은 유사 제품과 비교할 때 몇 가지 주요 차이점이 분명해집니다. 예를 들어, 로옴의 4세대 디바이스는 단위 면적당 게이트 밀도를 2배 가까이 높이는 혁신적인 2차원 격자형 게이트를 활용합니다. 이 설계 덕분에 BM2P014는 이전 트렌치 설계의 중요한 한계였던 다른 시장 선도적인 평면형 MOSFET에 비해 더 낮은 Ron-A를 달성할 수 있습니다.

. 드리프트 영역으로 더 깊게 확장되는 접지 소스 트렌치를 통합하여 게이트 산화물을 보호하고 온저항을 낮춤으로써 성능을 더욱 향상시켰습니다. 또한 로옴은 최근 낮은 전도 손실과 고속 스위칭 특성을 결합한 두 가지 새로운 유형의 650V IGBT를 출시했습니다. 이는 기존 IGBT 설계에 비해 크게 개선된 것으로, 전력 관리 애플리케이션의 효율성과 성능을 향상시킵니다. 소프트웨어 및 시스템 레벨 솔루션에 집중하는 것에서 알 수 있듯이, TI는 하드웨어를 넘어 혁신에 대한 노력을 기울이고 있습니다. 소프트웨어 개발과 시장 출시 전략에 어려움을 겪는 기존 반도체 회사와 달리 ROHM은 이러한 과제를 해결하기 위해 진화하고 있으며, 이를 통해 시장에서 유리한 입지를 확보하고 있습니다. 전원 관리 IC, LED, 센서 IC, SiC 전력 디바이스 등 다양한 부품을 포함하는 로옴의 제품군은 자동차, 산업, 가전 등 다양한 분야에서 폭넓은 적용성을 보장합니다. 이러한 다양한 제품군은 다목적성과 통합 가능성 측면에서 BM2P014를 더욱 차별화합니다. 로옴은 연구 개발 분야에서 2,800명 이상의 엔지니어가 차세대 반도체, 복합 소자 및 신소재 기술 발전에 주력하고 있습니다. 이러한 강력한 R&D 노력은 BM2P014와 같은 제품의 우수한 성능과 신뢰성에 기여합니다.

개발 역사

로옴 세미컨덕터는 기술 발전과 기업 성장의 풍부한 역사를 가지고 있습니다. 로옴의 여정은 반도체 업계에서 현재의 위치에 오르는 데 기여한 중요한 이정표에서 시작되었습니다. 1984년, 로옴은 세계 최초로 분자 빔 에피택시(MBE) 공법을 이용한 레이저 다이오드를 산업용으로 구현하여 획기적인 성공을 거두었습니다. 이 혁신은 로옴이 반도체 시장에서 영향력 있는 존재가 되는 시작점이 되었습니다.

. 이 성과에 이어 1985년에는 독자적인 CPU를 사용한 최초의 4비트 및 8비트 마이크로컨트롤러를 개발하여 마이크로컨트롤러 기술력을 과시했습니다. 1986년에는 현재 LSI 개발 센터로 알려진 연구 개발 센터를 개설하여 역량을 더욱 확대했습니다. 또한 올해에는 오사카 증권거래소 1부에 상장하여 업계에서 로옴의 중요성이 커지고 있음을 반영했습니다. 혁신에 대한 로옴의 노력은 같은 해 메모리 IC와 커패시터의 개발과 마케팅으로 이어졌습니다. 1980년대 후반에는 상당한 확장과 발전이 있었습니다. 1987년 로옴은 로옴 일렉트로닉스 타이완 주식회사를 설립하고 태국에 현재 RIST로 알려진 제조 공장을 설립했습니다. 1982년에는 디지털 트랜지스터를, 1983년에는 밴드 스위칭 다이오드를 개발하는 등 혁신적인 행보를 이어가며 반도체 시장에서의 입지를 더욱 공고히 했습니다. 1990년대와 2000년대는 기술 및 사회적 이니셔티브에 크게 기여하고 성장한 시기이기도 합니다. 1998년에는 오자와 세이지가 지휘하는 '뉴 재팬 필하모닉 스페셜' 콘서트를 공동 후원했으며, 이후 중국과 유럽을 비롯한 전 세계에 여러 기술 센터와 제조 공장을 설립했습니다. 리츠메이칸 대학과 도시샤 대학에 기부한 로옴 플라자, 호주의 '로옴 포레스트' 조림 프로젝트와 같은 중요한 프로젝트도 이 시기에 시작되었습니다. 최근 몇 년 동안 로옴의 확장과 혁신은 계속되고 있습니다. 예를 들어, 2015년에는 세계 최초로 SiC 드라이브용 AC/DC 컨버터 제어 IC를 개발했으며, 2019년에는 세계 최초로 Wi-SUN 국제 무선 통신 표준에 따른 인증을 획득했습니다. 또한 2022년 로옴은 도쿄증권거래소 프라임 마켓으로 이전하고 글로벌 재생 에너지 이니셔티브인 RE100에 가입했으며 시가현과 사람과 숲의 연결을 강화하기 위한 협약을 체결했습니다. 2017년 업계 최초로 노이즈 프리 설계를 적용한 연산 증폭기를 개발하고 2019년에는 업계 최초로 1700V SiC MOSFET을 내장한 AC/DC 컨버터 IC를 개발하는 등 혁신을 향한 로옴의 지속적인 노력은 분명하게 드러납니다. 이러한 성과는 기술 발전과 사회 공헌에 대한 로옴의 끊임없는 노력을 보여줍니다.

제조 및 품질 관리

로옴 세미컨덕터는 모노즈쿠리라는 제조 철학을 통해 경쟁 우위를 유지하기 위한 확고한 의지를 가지고 있습니다. 이 접근 방식은 제조 부문에서 품질, 비용 및 납기(QCD) 지표를 지속적으로 개선하는 데 중점을 둡니다.

. 로옴은 효율성과 대응성을 목표로 고객에게 필요한 만큼의 제품을 적시에 공급할 수 있는 유연한 생산 라인을 개발해 왔습니다. 이러한 목표를 향한 주요 이니셔티브 중 하나는 특히 야간 시간대의 완전 자동화를 추구하는 것이며, 이를 대량 생산 라인으로 확대하는 것이 궁극적인 목표입니다. 로옴은 '품질 최우선'이라는 원칙에 따라 운영의 모든 측면에 품질을 통합하고 있습니다. 로옴의 품질은 완제품의 성능뿐만 아니라 비용, 납기, 서비스, 환경에 미치는 영향까지 포괄합니다. 제품 개발부터 원자재 조달에 이르기까지 제조 공정의 각 단계를 엄격하게 조사하여 높은 기준을 보장합니다. 품질 관리에 대한 이러한 포괄적인 접근 방식을 통해 로옴은 ISO9001, ISO/TS16949, ISO/IEC17025, ISO13485, ISO14001 등 여러 인증을 획득했습니다. 로옴은 제조 공정을 최적화하기 위해 첨단 알고리즘을 도입해 왔습니다. 국내외 공장에서 프로토타입 테스트와 검증을 성공적으로 마친 후 가동률과 납기 지연과 같은 주요 성과 지표에서 상당한 개선이 관찰되었습니다. 이러한 알고리즘의 구현으로 계산 시간이 현저히 단축되어 변화하는 제조 조건에 보다 적시에 최적의 대응을 할 수 있게 되었습니다. 앞으로 로옴은 해외 공장에서의 시범 운영을 통해 시스템을 더욱 개선해 나갈 계획이며, 2024년 4월에 본격적으로 도입할 예정입니다. 또한 로옴은 작업장의 안전과 보건을 중시하여 OHSAS 18001과 같은 국제 표준을 준수하고 있습니다. 조달 측면에서는 부품 및 소재의 품질과 안정적인 공급을 보장하는 동시에 노동, 윤리, 환경 지속 가능성을 고려한 CSR 조달 관행에 힘쓰고 있습니다. 품질과 책임 있는 조달을 위한 이러한 노력은 신뢰할 수 있는 고품질의 안정적인 제조 운영을 유지하는 데 도움이 됩니다.

시장 영향력

로옴의 BM2P014 반도체는 로옴의 광범위한 전략과 이니셔티브에 힘입어 시장에 큰 영향을 미쳤습니다. 혁신적인 제품 개발을 촉진하고 고품질 표준을 유지하기 위한 로옴의 노력은 반도체 업계의 핵심 플레이어로 자리매김했습니다. 고객 중심 솔루션과 기술 지원에 중점을 두고 전 세계적으로 시장 입지를 강화했습니다.

. 로옴은 제조 공정을 개선하기 위해 상당한 노력을 기울여 왔습니다. 여기에는 생산성 향상과 조립 공정의 자동화가 포함되며, 이는 무결점 제품 생산에 기여합니다. 이러한 혁신을 통해 로옴은 증가하는 시장 수요에 효율적으로 대응할 수 있습니다. 환경, 사회, 거버넌스(ESG) 이니셔티브도 로옴의 시장 전략에서 중요한 역할을 하고 있습니다. 온실가스 배출 제로와 폐기물 제로를 목표로 삼아 규제 요건을 충족할 뿐만 아니라 환경을 생각하는 소비자와 기업에게 어필하고 있습니다. 지속가능성에 대한 이러한 노력은 친환경 기술에 대한 광범위한 시장 트렌드와 공명하여 로옴의 시장 영향력을 더욱 강화하고 있습니다. 또한 로옴의 전략적 파트너십과 인력 개발에 대한 투자는 반도체 업계의 잠재적인 인재 부족 문제를 완화할 것으로 기대됩니다. 교육 기관 및 지역사회 단체와의 협력을 통해 숙련된 기술자 및 엔지니어의 파이프라인을 개발하는 것은 장기적인 시장 성장을 유지하는 데 매우 중요합니다. 이러한 선견지명은 로옴이 미래 시장 수요에 대응할 수 있는 경쟁력을 유지할 수 있게 해줍니다.

사례 연구

롬앤하스 지하수 오염 사례

1980년 초, 일리노이주 링우드, 맥헨리 카운티의 지하수 오염에 대한 조사에 직면한 Rohm과 Haas. 회사 공장이 마을의 지하수를 오염시켰을지도 모른다는 우려로 인해 정밀 조사를 받았습니다. 롬과 하스가 자금을 지원한 연구 결과에 따르면 지하수 오염이 마을의 우물물에 영향을 미치지 않는 것으로 나타났습니다. 이러한 조사 결과에도 불구하고 롬앤하스는 현재 주민들이 제기한 집단 소송에 연루된 5개 기업 중 하나입니다. 이 소송은 1,074명의 주민 중 34명이 뇌암 또는 뇌하수체암에 걸렸다며 공장의 활동과 직접적인 상관관계가 있다고 주장하고 있습니다. 노스웨스트 헤럴드의 6회에 걸친 상세한 탐사 보도는 지역 보건 당국과 롬앤하스 양측이 상황을 심각하게 잘못 처리했다고 지적했습니다.

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롬앤하스의 노사 관계

롬앤하스는 역사상 상당한 노사 분쟁을 경험했습니다. 특히 1969년에는 석유, 화학 및 원자력 노동조합의 노조원들이 텍사스주 해리스 카운티에 있는 롬앤하스 디어 파크 시설에서 파업을 벌였습니다.

. 이 행사는 회사 내 지속적인 노사 관계 문제를 강조했습니다.

로옴과 퀀매틱의 협업

2023년 1월, 로옴 세미컨덕터는 와세다 대학의 토가와 노즈무 교수를 비롯한 저명한 학계 및 업계 전문가들이 설립한 퀀매틱과 함께 양자 솔루션을 모색하기 시작했습니다. 2023년 9월까지 양사의 협업은 EDS 공정의 양자 컴퓨팅 효율성을 향상시키는 프로토타입을 구축하는 데 성공했습니다. 이 혁신적인 접근 방식은 퀀매틱의 양자 및 고전 계산 전문성과 로옴의 광범위한 지식 및 데이터를 결합하여 제조 분야의 고급 최적화 방법을 위한 기반을 마련했습니다.

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GaN 디바이스의 발전

로옴은 질화갈륨(GaN) 디바이스의 개발과 확장을 위해 전략적 파트너십을 맺기도 했습니다. 델타 일렉트로닉스의 스핀오프 벤처인 대만의 스타트업 ANCORA와 긴밀히 협력하고 있습니다. 이 파트너십의 목표는 첨단 GaN 기술을 활용하여 새로운 애플리케이션을 창출하고 GaN 디바이스 및 제어 IC 개발을 통해 사회 문제 해결에 기여하는 것입니다.

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향후 전망

인력 부족 문제 해결

반도체 산업은 향후 몇 년 동안 특히 엔지니어와 기술자 인재 풀에서 심각한 인력 부족에 직면할 것입니다. 전통적인 인재 풀은 과도하게 확장되어 있으며 제약, 항공우주, 자동차 제조와 같은 인접 산업에서 소싱을 확대하는 것이 이러한 인력 부족을 완화할 수 있는 단기적인 전략이 될 수 있습니다.

. 예측에 따르면 2025년까지 연간 엔지니어 수요는 9,000명에서 17,000명으로, 기술자 수요는 7,000명에서 14,000명으로 두 배로 증가할 것으로 예상됩니다. 2027년에는 연간 전체 인력 수요가 엔지니어 20,000명, 기술자 17,000명으로 정점을 찍을 것으로 예상됩니다. 다양한 인력 개발 프로그램에도 불구하고 CHIPS 법과 같은 이니셔티브의 성공 여부에 따라 2029년까지 59,000명에서 146,000명에 이르는 상당한 인력 격차가 지속될 수 있습니다.

양자 기술 통합

양자 기술의 통합은 생산 공정의 실시간 최적화를 가능하게 하는 반도체 제조의 큰 도약을 의미합니다.

. 로옴은 이러한 기술 발전의 선두에 서서 양자 기술을 활용한 공정의 총체적 최적화를 통해 공급망을 강화하는 것을 목표로 하고 있습니다. 이러한 움직임은 탈탄소화 사회 실현을 위해 점점 더 중요해지고 있는 반도체의 안정적인 공급을 유지하기 위해 필수적인 것으로 여겨지고 있습니다. 양자 기술의 도입은 로옴의 경쟁력을 강화할 것으로 기대되며, 반도체 업계 전반에 걸쳐 폭넓게 도입될 것으로 예상됩니다.

글로벌 시장에서의 확장

로옴은 자동차 및 산업 장비 분야에서 기술 혁신이 활발한 유럽을 중심으로 주요 시장에서의 입지 확대에 주력하고 있습니다.

. 로옴은 탄탄한 재무 성과와 전략적 전망을 반영하여 중기 경영 계획을 상향 조정했습니다. 로옴은 전력 및 아날로그 제품을 중심으로 특화된 솔루션을 제공함으로써 글로벌 고객층의 변화하는 요구에 부응하고 시장 입지를 더욱 강화할 계획입니다.

기술 혁신

로옴은 2023년 6월 양산을 시작한 650V GaN HEMT, 게이트 드라이버, 주변 부품을 통합한 SiP(System in Package)와 같은 제품으로 혁신을 계속하고 있습니다.

. 이 제품은 기존의 실리콘 구동 MOSFET을 보다 효율적인 GaN HEMT로 대체할 수 있는 제품으로, 아날로그 기술에 대한 로옴의 전문성과 첨단 반도체 솔루션 개발에 대한 로옴의 노력을 강조합니다. 이러한 전략을 실행함으로써 로옴은 반도체 업계에서 리더십을 확보하고 현재의 과제를 해결하는 동시에 미래 성장을 위한 입지를 다지는 것을 목표로 하고 있습니다.